介電常數介質(zhì)損耗測試儀 GDAT-C

介電常數介質(zhì)損耗測試儀 GDAT-C滿(mǎn)足標準：
GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(cháng)在內）下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法

介電常數介質(zhì)損耗試驗儀特點(diǎn)

雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動(dòng)調諧搜索功能。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過(guò)數字按鍵輸入。
雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。
自動(dòng)化測量技術(shù) -對測試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測量。
全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。
計算機自動(dòng)修正技術(shù)和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。
gdat高頻Q表的創(chuàng )新設計，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設計的工程師、科研人員、高校實(shí)驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具
，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。

介電常數介質(zhì)損耗試驗儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數字鎖定，標準頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉換，數值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
該儀器用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位對無(wú)機非金屬新材料性能的應用研究。
 
介電常數介質(zhì)損耗測試儀 GDAT-C主要技術(shù)特性 
Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔 
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz） 
工作誤差  ≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz） 
電感測量范圍  4.5nH ～ 140mH 
電容直接測量范圍  1 ～ 200pF 
主電容調節范圍  18 ～ 220pF 
主電容調節準確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％ 
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz 
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz 
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字 

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數和介質(zhì)損耗系數（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數顯微測量裝置，因而讀數方便，數據精確。
測試裝置由一個(gè)LCD數字顯示微測量裝置和一對間距可調的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調諧指示儀器，通過(guò)被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數。

BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選 　　　　　
極片間距可調范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
 
電感：
 
線(xiàn)圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
            
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH